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原標題：民進中央：建議集中突破矽材料6代功率晶元，通過收購難實現

根據人民網·中國統一戰線新聞網聯合中國共產黨新聞網推出的「2020年全國兩會各民主黨派提案選登」報導，民進中央擬提交關於推動中國功率半導體產業科學發展的提案。

功率半導體是電力設備、軌道交通以及新能源等領域技術升級的關鍵。近年來，在國家一系列政策措施支持和推動下，功率半導體領域呈現多點開花的良好形勢。行銷軟體

然而，提案注意到，當前從全球功率半導體市場看，一方面傳統的矽材料功率半導體仍然有巨大的發展空間，有研究顯示全球市場的碳化矽及氮化鎵等新材料功率半導體晶元市場應用量是約3億多美元，矽材料功率半導體晶元市場應用量超過200億美元。國際市場上 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 晶元主流是矽材料5代、6代及7代產品，國際功率半導體行業認為，矽材料功率半導體材料已經有30多年的大規模市場應用驗證，穩定可靠，價格低，尚有技術發展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

另一方面以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正蓬勃發展，而中國碳化矽、氮化鎵功率半導體器件研發起步晚，在技術上仍有很大差距。可喜的是，在國家多項科研計劃的扶持下，這方面已經大幅縮小了與國際的技術差距，並取得了不少成就。

天認為，工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷湧現以及節能減排需求日益迫切，中國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為「中國芯」的最好突破口。

為此，民進中央建議：

一、進一步完善功率半導體產業發展政策，大力扶持矽材料功率半導體晶元技術攻關，立項支持矽材料功率半導體材料、晶元、器件等設計和製造工藝流程技術。經過多年布局和發展，中國在矽材料 IGBT晶元技術方面有一定的技術基礎和沉澱，可以將集中突破矽材料6代功率晶元產品設計及批量製造工藝技術，採取先易后難、解決「有無」問題的發展策略，儘快實現功率半導體晶元自主供給。

二、加大新材料科技攻關。大數據傳輸、雲計算、AI 技術、物聯網、能源傳輸，對網路傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率晶元的市場需求非常大。從產業發展趨勢看，碳化矽、氮化鎵等新材料應用於功率半導體優勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。目前碳化矽、氮化鎵市場處於起步階段，國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。

首先要把功率半導體新材料研發列入國家計劃，全面部署，竭力搶佔戰略制高點。其次要引導企業積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業著力攻克一批產業發展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶佔先機。最後要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發現潛力到產業化，需要建立起高效的產學研體系，打造更加開放包容的投資環境。

三、謹慎支持收購國外功率半導體企業。通過收購很難實現完全學會和掌握國際先進的功率半導體晶元設計及製造工藝技術，同時海外工廠製造的產品仍然存在著無法出口到中國的危險。